Jde o modely 850 EVO s kapacitami 120 GB až 1 TB, slibovanými rychlostmi přenosu dat před 500 MB/s a zárukou 5 let.
V úvodu si odbuďme několik nudných čísel o životnosti (1,5 milionů hodin), hardwarové podpoře 256bitového AES šifrování, velikosti vyrovnávací paměti (256 MB u 120GB, 512 MB u 250GB / 512GB a 1 GB u 1TB varianty LPDDR2) či výkonech, které naleznete na obrázku. K životnosti dodejme, že každý den má bez problémů disk zvládnout zapsat 80 GB dat po dobu celých 5 let, den po dni.
Nyní pojďme k o něm 3bitovým 3D V-NAND pamětem. Nové 3bitové paměťové čipy jsou 32vrstvé (vrstvy jsou nad sebou – odkaz na 3D, protože paměťové vrstvy nejsou pouze sériově vedle sebe či za sebou), což má urychlovat výkon při zápisu a umožnit narůst kapacity a samozřejmě lepší spotřebu při stejné ploše v porovnání se staršími technologiemi. 2bitové čipy při tom měly 24 vrstev. Ilustrační video myšlenku popisuje vcelku pregnantně.
Pro ilustraci pokroku uveďme, že za posledních 15 let se výrobní proces paměťových čipů zmenšil ze 120nm na 19nm, přičemž kapacita narostla 100krát.
Zdroj: TechPowerUp, Samsung
